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CRZ39(TE85L,Q,M)

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CRZ39(TE85L,Q,M)
    CRZ39(TE85L,Q,M)

    CRZ39(TE85L,Q,M)

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理，原裝正品現(xiàn)貨?。?/p>

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
CRZ39(TE85L,Q,M) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 39V 0.7W S-FLAT
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
CRZ39(TE85L,Q,M) 技術(shù)參數(shù)
  • CRZ36(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 28.8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ33(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 33V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 26.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ30(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 21V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ30(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 30V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 21V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ27(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707 CS00096AC-J1-18E-0032.7707E CS-00505 CS-00510 CS-00516 CS0068-000 CS0078-000 CS0085-000 CS0091-000 CS0095-000 CS01.0121.150 CS01.0221.150 CS0103-000 CS0143-000 CS-018-114.285M CS-018-114.285MHZ CS02.0221.150
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