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CSD16450Q5

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    CSD16450Q5

    CSD16450Q5

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2500

  • TI

  • VSON

  • 1301+

  • -
  • 原廠特價貨源

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD16450Q5 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CSD16450Q5 技術(shù)參數(shù)
  • CSD16415Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.15 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4100pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16414Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):34A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3650pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16413Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.9 毫歐 @ 24A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1780pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16412Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta),52A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):530pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標準包裝:1 CSD16411Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta),56A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):570pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T CSD17309Q3 CSD17310Q5A CSD17311Q5 CSD17312Q5 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T CSD17318Q2 CSD17318Q2T CSD17322Q5A CSD17327Q5A CSD17381F4 CSD17381F4T CSD17382F4
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