CY7C1308BV25-167BZC

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制造商
Cypress Semiconductor
功能描述
256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk

CY7C1308BV25-167BZC 技術(shù)參數(shù)

CY7C1306CV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512x36 QDR Burst2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1305TV25-167BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1305TV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 NV靜態(tài)隨機存取存儲器 167 MHz 2.5V RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1305BV25-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1305BV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C131-15NXI CY7C1311CV18-200BZC CY7C1311CV18-250BZC CY7C1311KV18-250BZC CY7C1311SV18-250BZC CY7C13121KV18-300BZXC CY7C131-25JC CY7C131-25JXC CY7C131-25JXCT CY7C131-25NXC CY7C131-25NXCT CY7C1312BV18-167BZC CY7C1312BV18-167BZCT CY7C1312BV18-167BZI CY7C1312BV18-200BZC CY7C1312BV18-200BZI CY7C1312BV18-200BZXC CY7C1312BV18-250BZC