CY7C131-30NI

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封裝
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說明
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CY7C131-30NI 技術(shù)參數(shù)

CY7C1312TV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 1MX18 QDRII 165-FBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) CY7C1312TV18-167BZC 功能描述:IC SRAM 1MX18 QDRII 165-FBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) CY7C1312SV18-250BZC 功能描述:IC SRAM 1MX18 QDRII 165-FBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) CY7C1312SV18-167BZC 功能描述:IC SRAM 256KX36 SYNC 165-FBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3）包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) CY7C1312KV18-333BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (1Mx18) 1.8v 333MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1313KV18-250BZC CY7C1313KV18-250BZCT CY7C1313KV18-250BZI CY7C1313KV18-250BZXC CY7C1313KV18-250BZXI CY7C1313KV18-333BZC CY7C1313SV18-250BZC CY7C1313TV18-167BZC CY7C1313TV18-250BZC CY7C1314BV18-167BZC CY7C1314BV18-167BZI CY7C1314BV18-200BZC CY7C1314BV18-250BZC CY7C1314BV18-250BZXC CY7C1314CV18-167BZC CY7C1314CV18-200BZC CY7C1314CV18-200BZI CY7C1314CV18-250BZC