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CY7C1315KV18-250BZIES

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CY7C1315KV18-250BZIES 技術(shù)參數(shù)

CY7C1315KV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1315KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18432KB 1ms 390mA RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1315KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1315JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 (4-WORD BURST) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1315JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V QDR II (4-Word Burst) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1315TV18-200BZC CY7C1315TV18-250BZC CY7C1318BV18-167BZC CY7C1318BV18-200BZI CY7C1318BV18-250BZC CY7C1318BV18-278BZC CY7C1318CV18-167BZC CY7C1318CV18-200BZI CY7C1318CV18-200BZXC CY7C1318CV18-250BZC CY7C1318CV18-250BZI CY7C1318CV18-250BZXC CY7C1318CV18-278BZXC CY7C1318JV18-300BZC CY7C1318JV18-300BZXC CY7C1318KV18-250BZC CY7C1318KV18-250BZCT CY7C1318KV18-250BZI