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CY7C1414AV18167BZXC

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CY7C1414AV18167BZXC 技術(shù)參數(shù)
  • CY7C1414AV18-167BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1414AV18-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1414AV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx36 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C14141KV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 QDR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C14141KV18-250BZXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF) CY7C1414BV18-250BZXI CY7C1414JV18-250BZXC CY7C1414JV18-267BZC CY7C1414KV18-250BZC CY7C1414KV18-250BZCT CY7C1414KV18-250BZI CY7C1414KV18-250BZXC CY7C1414KV18-250BZXCT CY7C1414KV18-250BZXI CY7C1414KV18-250BZXIT CY7C1414KV18-300BZC CY7C1414KV18-300BZI CY7C1414KV18-300BZXC CY7C1414KV18-300BZXI CY7C1414KV18-333BZC CY7C1414KV18-333BZXC CY7C1414KV18-333BZXI CY7C1414LV18-250BZXC
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