CY7C1426JV18-300BZXI

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CY7C1426JV18-300BZXI 技術(shù)參數(shù)

CY7C1426JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36-Mbit QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 1.8volts RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1426JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 QDR-II Burst 4 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1426AV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1426AV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1426AV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1440AV25-167BZXC CY7C1440AV25-250BZXI CY7C1440AV25-250BZXIT CY7C1440AV33-167AXC CY7C1440AV33-167AXCT CY7C1440AV33-167BZC CY7C1440AV33-167BZCT CY7C1440AV33-250AXC CY7C1440AV33-250AXCT CY7C1440AV33-250AXI CY7C1440AV33-250BZXI CY7C1440KV25-250BZXI CY7C1440KV25-250BZXIT CY7C1440KV33-167AXC CY7C1440KV33-250AXC CY7C1440KV33-250BZXI CY7C1440KVE33-167AXC CY7C1440SV33-167AXC