CYD36S18V18-167BBXI

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CYD36S18V18-167BBXI 技術參數(shù)

CYD18S72V18-250BBXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 250MHZ 256LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CYD18S72V18-200BGXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18432KB(256Kx72)1.8v 200MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYD18S72V18-200BGI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18432KB(256Kx72)1.8v 200MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYD18S72V18-200BBXI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CYD18S72V18-200BBXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CYD36S36V18-200BBXC CYD36S36V18-200BGXC CYD36S72V18-167BGXC CYD36S72V18-200BGXC CYDC064B08-55AXI CYDC064B16-55AXI CYDC128B08-55AXI CYDC128B16-55AXI CYDC1543-GC CYDC256B16-55AXI CYDD09S36V18-167BBXC CYDD09S36V18-167BBXI CYDD09S36V18-200BBXC CYDD18S36V18-167BBXC CYDD18S36V18-167BBXI CYDD18S36V18-200BBXC CYDD18S72V18-167BBXC CYDD18S72V18-167BBXI