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DMC4040SDS-13

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  • DMC4040SDS-13
    DMC4040SDS-13

    DMC4040SDS-13

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 3623

  • DIODES

  • SOP-8

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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DMC4040SDS-13 技術(shù)參數(shù)
  • DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期 字符數(shù):80 顯示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 點(diǎn) 顯示類型:STN - 超扭轉(zhuǎn)向列 顯示模式:可傳導(dǎo)的 字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可視范圍:152.50mm 長(zhǎng) x 16.50mm 寬 背光:LED - 黃/綠 電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 點(diǎn)尺寸:- 接口:并聯(lián) 工作溫度:0°C ~ 50°C 文字顏色:黃 背景顏色:綠 標(biāo)準(zhǔn)包裝:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.6A,6.2A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.5A,7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):16.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC25D1UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):25V,12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA,3.9A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 400mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):27.6pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:TSOT-26 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC25D0UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):25V,30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):400mA,3.2A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 400mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):26.2pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:TSOT-26 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMC506010R DMC506E20R DMC561000R DMC561010R DMC561020R DMC561030R DMC561040R DMC561050R DMC561060R DMC561070R DMC5610E0R DMC5610L0R DMC5610M0R DMC5610N0R DMC562000R DMC562050R DMC564000R DMC564010R
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