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DMP2305U-7-F

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話(huà):13760200702

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C棟706

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 假一賠十!

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  • DMP2305U-7-F
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 原裝正品,假一罰十

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

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  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐//方先生

    電話(huà):0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 3000

  • DIODES

  • SOT-23

  • 2012+

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  • 只做原裝正品。

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DMP2305U-7-F 技術(shù)參數(shù)
  • DMP22M2UPS-13 功能描述:MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):60A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):476nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):12826pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.3W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PowerDI5060-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):330mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 200mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):9.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):530mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):54 毫歐 @ 2.5A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DFN2015H4-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.7A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):48.7nC @ 8V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):800mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):27 毫歐 @ 6.4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:U-DFN2020-6(E 類(lèi)) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMP1555UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):200mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.84nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):55.4pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 200mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMP3007SFG-7 DMP3007SPS-13 DMP3008SFG-13 DMP3008SFG-7 DMP3008SFGQ-13 DMP3008SFGQ-7 DMP3010LK3-13 DMP3010LK3Q-13 DMP3010LPS-13 DMP3010LPSQ-13 DMP3012LPS-13 DMP3015LSS-13 DMP3015LSSQ-13 DMP3017SFG-13 DMP3017SFG-7 DMP3017SFGQ-13 DMP3017SFGQ-7 DMP3017SFK-13
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