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DS1351-1R0M-B

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  • 制造商
  • TE Connectivity
  • 功能描述
DS1351-1R0M-B 技術(shù)參數(shù)
  • DS1351-1R0M 功能描述:1μH Shielded Inductor 5A 21 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:5A 電流 - 飽和值:5.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:21 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.510" 長(zhǎng) x 0.398" 寬（12.95mm x 10.10mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.201"（5.10mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1351-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 2A 101 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1351，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:101 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.510" 長(zhǎng) x 0.398" 寬（12.95mm x 10.10mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.201"（5.10mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1350YP-70IND+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1350YP-70IND 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS1350YP-70+ 功能描述:NVRAM 4096K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube DS135AC DS135AD DS135AE DS1371U DS1371U+ DS1371U+C01 DS1371U+T&R DS1372U+ DS1372U+T&R DS1374C-18# DS1374C-3# DS1374C-3#T&R DS1374C-33# DS1374C-33#T&R DS1374U-18+ DS1374U-3+ DS1374U-3+T&R DS1374U-33
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