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DS1E-M-12VDC

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操作

DS1E-M-12VDC
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4000
11+
18+
-
專注原裝,有貨

DS1E-M-12VDC
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7800
NAIS
DIP
2024+
-
代理商庫房現(xiàn)貨

DS1E-M-12VDC
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8277481983249326
地址：銷售一部：華強北上步工業(yè)區(qū)501棟401室銷售二部：深圳市福田區(qū)紅荔路上航大廈411室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9630
Panasonic
PDIP
20+
-
大量繼電器常備現(xiàn)貨，歡迎來電

DS1E-M-12VDC
深圳市榮澤信電子科技有限公司
深圳市榮澤信電子科技有限公司
聯(lián)系人：榮澤信－晏S
電話：18028731859
地址：華富村東區(qū)417室
10000
NAIS
DIP/SMD
15+
-
現(xiàn)貨原裝價優(yōu)

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您是不是要找： DS1E-M-DC1.5V DS1E-M-DC1.5V-R DS1E-M-DC12V DS1E-M-DC12V-TB DS1E-M-DC24V DS1E-M-DC24V-TB DS1E-M-DC3V DS1E-M-DC5V DS1E-M-DC5V-R

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DS1E-M-12VDC 技術(shù)參數(shù)

DS1D7BQ3 功能描述:SWITCH SNAP ACTION SPDT 16A 125V 制造商:c&k 系列:DS 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電路:SPDT 開關(guān)功能:開-瞬時額定電流:16A（AC）額定電壓 - AC:125V 致動器類型:圓形（針狀沖桿）安裝類型:面板安裝，卡入式端子類型:快速連接 - 0.250"（6.3mm）侵入防護(hù):- 特性:- 操作力，扭矩:425gf 釋放力:- 預(yù)行程:- 差動行程:- 超行程:0.398"（10.1mm）工作位置:0.770"（19.5mm）機械壽命:- 電氣壽命:10，000 次循環(huán) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1D7AQ3 功能描述:SWITCH SNAP ACTION SPDT 16A 125V 制造商:c&k components 系列:DS 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電路:SPDT 開關(guān)功能:開-瞬時額定電流:16A（AC）額定電壓 - AC:125V 額定電壓 - DC:- 致動器類型:圓形（針狀沖桿）安裝類型:面板安裝，卡入式端子類型:快速連接 - 0.250"（6.3mm）侵入防護(hù):- 特性:- 操作力，扭矩:425gf 釋放力:- 預(yù)行程:- 差動行程:- 超行程:0.125"（3.2mm）工作位置:0.350"（8.9mm）機械壽命:- 電氣壽命:10，000 次循環(huán) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 DS1976-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.08 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1976-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.4A 97 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.4A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:97 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:530mA 電流 - 飽和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.01 歐姆最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm）高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1E-M-DC6V DS1E-M-DC9V DS1E-M-DC9V-R DS1E-ML2-DC1.5V DS1E-ML2-DC12V DS1E-ML2-DC24V DS1E-ML2-DC24V-R DS1E-ML2-DC3V DS1E-ML2-DC3V-R DS1E-ML2-DC5V DS1E-ML2-DC5V-R DS1E-ML2-DC6V DS1E-ML-DC12V DS1E-ML-DC24V DS1E-ML-DC5V DS1E-S-DC12V DS1E-S-DC12V-R DS1E-S-DC12V-TB

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艾睿（深圳）實業(yè)有限公..
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深圳市芯易芯科技有限公..
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