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EC48117H-ADJ EI

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    EC48117H-ADJ EI

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • E-CMOS

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  • EC48117H-ADJ EI
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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EC48117H-ADJ EI 技術參數(shù)
  • EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:224 毫歐 @ 600mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFDFN 供應商器件封裝:0503（1308 公制） 標準包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.9 歐姆 @ 100mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFDFN 供應商器件封裝:4-ECSP1008 標準包裝:1 EC41/19/12-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態(tài):在售 內核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層 供應商器件封裝:EC 41 x 19 x 12 高度:19.50mm 長度:41.60mm 寬度:11.60mm 直徑:- 標準包裝:300 EC350X 功能描述:GDT 350V 15% 5KA THROUGH HOLE 制造商:epcos (tdk) 系列:EC350X 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - DC 火花放電（標稱值）:350V 脈沖放電電流（8/20us）:5000A（5kA） 容差:±15% 極數(shù):2 故障短接:無 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向圓柱形 標準包裝:100 EC35/17/10-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態(tài):在售 內核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層 供應商器件封裝:EC 35 x 17 x 10 高度:17.30mm 長度:35.30mm 寬度:9.50mm 直徑:- 標準包裝:480 EC4986-000 EC4987-000 EC4988-000 EC4989-000 EC4990-000 EC4991-000 EC4992-000 EC4993-000 EC4994-000 EC4995-000 EC4996-000 EC4997-000 EC4998-000 EC4999-000 EC4H08C-TL-H EC4H09C-TL-H EC5 20G BTL EC5 500G BTL
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