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EC5579E-H1G

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  • EC5579E-H1G
    EC5579E-H1G

    EC5579E-H1G

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：13760200702

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4950

  • E-CMOS

  • TQFP48

  • 假一賠十！

  • -

  • 絕對原裝現(xiàn)貨?。?/p>

  • EC5579E-H1G
    EC5579E-H1G

    EC5579E-H1G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • E-CMOS

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • EC5579E-H1G
    EC5579E-H1G

    EC5579E-H1G

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • E-CMOS

  • QFP48

  • 20+

  • -

  • 進(jìn)口原裝現(xiàn)貨

  • EC5579E-H1G
    EC5579E-H1G

    EC5579E-H1G

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會大廈A座19樓19G

  • 9866

  • E-CMOS

  • QFP

  • 09+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
  • 1
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EC5579E-H1G 技術(shù)參數(shù)
  • EC52/24/14-3C94 功能描述:FERRITE CORE 制造商:ferroxcube 系列:- 零件狀態(tài):在售 內(nèi)核類型:EC 容差:- 間隙:- 材料:3C94 表面:無涂層 供應(yīng)商器件封裝:EC 52 x 24 x 14 高度:24.20mm 長度:52.20mm 寬度:13.40mm 直徑:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 EC4943-000 功能描述:11320000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態(tài):有效 配件類型:載體，線纜和導(dǎo)線標(biāo)記器 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:K-Type? 線纜標(biāo)記 材料:PVC 特性:7 字符長 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 EC4942-000 功能描述:11310000 制造商:te connectivity amp connectors 系列:K 零件狀態(tài):有效 配件類型:載體，線纜和導(dǎo)線標(biāo)記器 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:K-Type? 線纜標(biāo)記 材料:PVC 特性:12 字符長 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 EC4407KF-TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.3A ESCP1208-4F 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:224 毫歐 @ 600mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 10V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:0503（1308 公制） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EC4406C-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.9 歐姆 @ 100mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26pF @ 20V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFDFN 供應(yīng)商器件封裝:4-ECSP1008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EC5599-000 EC5600-000 EC5601-000 EC5602-000 EC5603-000 EC5604-000 EC5606-000 EC5607-000 EC5611-000 EC5612-000 EC5613-000 EC5614-000 EC5619-000 EC5651-000 EC5652-000 EC5653-000 EC5654-000 EC5655-000
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