您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > E字母型號搜索 >

ECH-U1C223GXG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " ECH-U1C223GXG " 相關(guān)的供應(yīng)商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復(fù) 發(fā)布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
ECH-U1C223GXG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 薄膜電容器 0.022uF 16volts 2% 1206 PPS Film
  • RoHS
  • 制造商
  • Cornell Dubilier
  • 產(chǎn)品類型
  • 電介質(zhì)
  • Polyester
  • 電容
  • 0.047 uF
  • 容差
  • 10 %
  • 電壓額定值
  • 100 V
  • 系列
  • 225P
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 85 C
  • 端接類型
  • Radial
  • 引線間隔
  • 9.5 mm
ECH-U1C223GXG 技術(shù)參數(shù)
  • ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8619-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A,2A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):93 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):560pF @ 20V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH-U1C331GX5 ECH-U1C331JX5 ECH-U1C332GX5 ECH-U1C332JB5 ECH-U1C332JX5 ECH-U1C333GX5 ECH-U1C333JB5 ECH-U1C333JX5 ECH-U1C391GX5 ECH-U1C391JX5 ECH-U1C392GX5 ECH-U1C392JB5 ECH-U1C392JX5 ECH-U1C393GX5 ECH-U1C393JB5 ECH-U1C393JX5 ECH-U1C471GX5 ECH-U1C471JX5
配單專家

在采購ECH-U1C223GXG進(jìn)貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買ECH-U1C223GXG產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購買ECH-U1C223GXG相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的ECH-U1C223GXG信息由會員自行提供,ECH-U1C223GXG內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號