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ECJ-1VB0J106M

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • ECJ-1VB0J106M
    ECJ-1VB0J106M

    ECJ-1VB0J106M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panasonic Electronic Comp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝

  • ECJ-1VB0J106M
    ECJ-1VB0J106M

    ECJ-1VB0J106M

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • PANASONIC

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理,原裝特價現(xiàn)貨！

  • ECJ-1VB0J106M
    ECJ-1VB0J106M

    ECJ-1VB0J106M

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 2568

  • Panasonic Electronic Comp

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新進口

  • -

  • 現(xiàn)貨熱賣，15810809722

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
ECJ-1VB0J106M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 多層陶瓷電容器MLCC - SMD/SMT 10uF 6.3V 20%
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • American Technical Ceramics (ATC)
  • 電容
  • 10 pF
  • 容差
  • 1 %
  • 電壓額定值
  • 250 V
  • 溫度系數(shù)/代碼
  • C0G (NP0)
  • 外殼代碼 - in
  • 0505
  • 外殼代碼 - mm
  • 1414
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 125 C
  • 產(chǎn)品
  • Low ESR MLCCs
  • 封裝
  • Reel
ECJ-1VB0J106M 技術(shù)參數(shù)
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效 類型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器，電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"（0.13mm） 直徑 - 外部:0.831"（21.10mm） 直徑 - 內(nèi)部:- 標準包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECJ-1VB0J824K ECJ-1VB1A105K ECJ-1VB1A106M ECJ-1VB1A124K ECJ-1VB1A154K ECJ-1VB1A184K ECJ-1VB1A224K ECJ-1VB1A225K ECJ-1VB1A225M ECJ-1VB1A334K ECJ-1VB1A474K ECJ-1VB1A684K ECJ-1VB1C103K ECJ-1VB1C104K ECJ-1VB1C105K ECJ-1VB1C123K ECJ-1VB1C153K ECJ-1VB1C183K
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