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ECJ3YB1C225K

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  • ECJ3YB1C225K
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    ECJ3YB1C225K

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • 原廠

  • 1206

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • ECJ3YB1C225K
    ECJ3YB1C225K

    ECJ3YB1C225K

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • PAN

  • 2011

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
ECJ3YB1C225K PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Panasonic Industrial Devices
  • 功能描述
  • 1206 X7R 2.2UF 16V 10%
ECJ3YB1C225K 技術參數(shù)
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效 類型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器，電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"（0.13mm） 直徑 - 外部:0.831"（21.10mm） 直徑 - 內(nèi)部:- 標準包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECJ-3YB1E394K ECJ-3YB1E474K ECJ-3YB1E475K ECJ-3YB1E475M ECJ-3YB1E564K ECJ-3YB1E684K ECJ-3YB1E824K ECJ-3YB1H224K ECJ-3YB2A104K ECJ-3YB2A223K ECJ-3YB2A333K ECJ-3YB2A473K ECJ-3YB2D153K ECJ-3YB2D223K ECJ-3YC2D102J ECJ-3YC2D471J ECJ-3YC2D681J ECJ-3YF1A106Z
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