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ECKD3J222MDU

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話(huà)：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3120

  • Panasoni

  • DIP-2

  • 201220+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存。400-800-03...

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  • 1
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  • 制造商
  • Panasonic Industrial Devices
  • 功能描述
  • CAPACITOR 2.2NF 6000V
ECKD3J222MDU 技術(shù)參數(shù)
  • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器，電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長(zhǎng)度:- 寬度:- 高度:0.005"（0.13mm） 直徑 - 外部:0.831"（21.10mm） 直徑 - 內(nèi)部:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A，1.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:260 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:8-ECH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ECK-DNA222ME ECK-DNA332ME ECK-DNA471MB ECK-DNA472ME ECK-F1E473ZVE ECK-N3A101KBP ECK-N3D221KBP ECK-NTS103MF ECK-NTS221MB ECK-NVS101KB ECK-NVS102KB ECK-NVS102ME ECK-NVS103MF ECK-NVS151KB ECK-NVS152ME ECK-NVS221KB ECK-NVS222ME ECK-NVS331KB
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