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FSSA220007RNN00S

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  • FSSA220007RNN00S
    FSSA220007RNN00S

    FSSA220007RNN00S

    優(yōu)勢
  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 22580

  • MURATA

  • 鐵氧體磁芯

  • 22+

  • -
  • 深圳現(xiàn)貨庫存,保證百分之百原裝正品!

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
FSSA220007RNN00S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 35ohm @100MHz Plate Core
  • RoHS
  • 制造商
  • Fair-Rite
  • 產(chǎn)品
  • Ferrite Cores
  • 阻抗
  • 365 Ohms
  • 容差
  • 最大直流電流
  • 最大直流電阻
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 端接類型
  • SMD/SMT
FSSA220007RNN00S 技術(shù)參數(shù)
  • FSS804-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3000pF @ 10V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS275-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1100pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS273-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 45V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):45V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2225pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS264-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1560pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 FSS1500NST 功能描述:Surface Mount Force Sensor 1.5kgf (3.3lbs) 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:FSS 零件狀態(tài):有效 作用力:1.5kgf(3.3磅) 輸出:180mV 傳感器類型:表面貼裝 電壓 - 電源:3 V ~ 6 V 致動器類型:滾珠 致動器樣式/尺寸:圓形,1.98mm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 FST100200 FST10030 FST10035 FST10040 FST10045 FST10060 FST10080 FST10-140-BKTS FST-11.8D-14 FST-11A-10 FST-11A-11 FST-11A-20 FST-11A-5 FST-11A-7 FST-11A-8 FST120100 FST120150 FST12020
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