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GL1150=TDA2005RST

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GL1150=TDA2005RST 技術(shù)參數(shù)
  • GL110KA7B115 功能描述:11μH Unshielded Wirewound Inductor 115mA 7 Ohm Nonstandard 制造商:avx corporation 系列:GL 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:11μH 容差:±10% 額定電流:115mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):7 歐姆 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.182"?長 x 0.072" 方椎體(4.62mm x 1.83mm) 高度 - 安裝(最大值):- 標準包裝:1 GL100MN1MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):- 波長:940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,無引線 標準包裝:1 GL100MN1MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):- 波長:940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 視角:20° 朝向:通用 工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝,直角 封裝/外殼:2-SMD,無引線 標準包裝:1 GL100MN0MP1 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):- 波長:940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 視角:20° 朝向:頂視圖 工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,無引線 標準包裝:1 GL100MN0MP 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 20° 2-SMD, No Lead 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):- 波長:940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 視角:20° 朝向:通用 工作溫度:-30°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝,直角 封裝/外殼:2-SMD,無引線 標準包裝:1 GL120F35CET GL120F35IDT GL120F35IET GL122E5J GL122E9J GL122F23CDT GL122F23CET GL122F23IDT GL122F23IET GL122F33CDT GL122F33CET GL122F33IDT GL122F33IET GL122F35CDT GL122F35CET GL122F35IDT GL122F35IET GL12-HT3-GS08
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