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GMR20H125C-TB3T

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GMR20H125C-TB3T 技術(shù)參數(shù)
  • GMR100HTCFIR220 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電阻值:220 mOhms 容差:±1% 功率（W）:3W 成分:金屬元素 特性:汽車級(jí) AEC-Q200 溫度系數(shù):±20ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 170°C 封裝/外殼:2512（6432 公制） 供應(yīng)商器件封裝:2512 大小/尺寸:0.252" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（6.40mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.022"（0.55mm） 端子數(shù):2 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GMR100HTCFAR100 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電阻值:100 mOhms 容差:±1% 功率（W）:3W 成分:金屬元素 特性:汽車級(jí) AEC-Q200 溫度系數(shù):±20ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 170°C 封裝/外殼:2512（6432 公制） 供應(yīng)商器件封裝:2512 大小/尺寸:0.252" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（6.40mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.022"（0.55mm） 端子數(shù):2 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GMR100HTBFQR047 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電阻值:47 mOhms 容差:±1% 功率（W）:3W 成分:金屬元素 特性:汽車級(jí) AEC-Q200 溫度系數(shù):±20ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 170°C 封裝/外殼:2512（6432 公制） 供應(yīng)商器件封裝:2512 大小/尺寸:0.252" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（6.40mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.022"（0.55mm） 端子數(shù):2 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GMR100HTBFMR033 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電阻值:33 mOhms 容差:±1% 功率（W）:3W 成分:金屬元素 特性:汽車級(jí) AEC-Q200 溫度系數(shù):±20ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 170°C 封裝/外殼:2512（6432 公制） 供應(yīng)商器件封裝:2512 大小/尺寸:0.252" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（6.40mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.022"（0.55mm） 端子數(shù):2 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 GMR100HTBFIR022 功能描述:HIGH POWER LOW OHMIC CHIP SHUNT 制造商:rohm semiconductor 系列:GMR 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 電阻值:22 mOhms 容差:±1% 功率（W）:3W 成分:金屬元素 特性:汽車級(jí) AEC-Q200 溫度系數(shù):±20ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 170°C 封裝/外殼:2512（6432 公制） 供應(yīng)商器件封裝:2512 大小/尺寸:0.252" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（6.40mm x 3.20mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.022"（0.55mm） 端子數(shù):2 故障率:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 G-MRCO-014 G-MRCO-016 G-MRCO-017 G-MRCO-021 G-MRCO-028 G-MRCO-037 GMRDSMI G-MRMO-031 GMRO GMRTD600 GMS10RVS GMS-1-X GMS-2-Q GMS-3-Q GMS-A0279BL GMS-A0280BL GMS-A0281BL GMS-A0282BL
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