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HED55XXCU12

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  • HED55XXCU12
    HED55XXCU12

    HED55XXCU12

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 2993

  • SAMSUNG_SEMI

  • 2001

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
HED55XXCU12 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Samsung Semiconductor
  • 功能描述
HED55XXCU12 技術(shù)參數(shù)
  • HEC4538BT,118 功能描述:單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器 DUAL PRECISIN MONOST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 每芯片元件:1 邏輯系列:LVC 邏輯類型:Monostable Multivibrator 封裝 / 箱體:SSOP-8 傳播延遲時(shí)間:18.6 ns 高電平輸出電流:- 32 mA 低電平輸出電流:32 mA 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Reel HEC4538BT,112 功能描述:單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器 DUAL PRECISIN MONOST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 每芯片元件:1 邏輯系列:LVC 邏輯類型:Monostable Multivibrator 封裝 / 箱體:SSOP-8 傳播延遲時(shí)間:18.6 ns 高電平輸出電流:- 32 mA 低電平輸出電流:32 mA 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Reel HEC4528BT,118 功能描述:單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器 DUAL MONOSTABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 每芯片元件:1 邏輯系列:LVC 邏輯類型:Monostable Multivibrator 封裝 / 箱體:SSOP-8 傳播延遲時(shí)間:18.6 ns 高電平輸出電流:- 32 mA 低電平輸出電流:32 mA 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Reel HEC4528BT,112 功能描述:單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器 DUAL MONOSTABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 每芯片元件:1 邏輯系列:LVC 邏輯類型:Monostable Multivibrator 封裝 / 箱體:SSOP-8 傳播延遲時(shí)間:18.6 ns 高電平輸出電流:- 32 mA 低電平輸出電流:32 mA 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:1.65 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Reel HEC4094BT,118 功能描述:寄存器 Shift Register/Latch SGL 8Bit Serial16Pin RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時(shí)鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時(shí)間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube HEDB-9100-C11 HEDB-9100-C12 HEDB-9100-H11 HEDB-9100-I02 HEDB-9100-I11 HEDB-9100-I12 HEDB-9100-I13 HEDB-9100-K13 HEDB-9140-A02 HEDB-9140-A06 HEDB-9140-A11 HEDB-9140-A12 HEDB-9140-A13 HEDB-9140-A14 HEDB-9140-C06 HEDB-9140-G12 HEDB-9140-I13 HEDC-5520-A06
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