您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > H字母型號搜索 >

HFI5N65S

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • HFI5N65S
    HFI5N65S

    HFI5N65S

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • semihow

  • I2-PAK

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
HFI5N65S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • SEMIHOW
  • 制造商全稱
  • SEMIHOW
  • 功能描述
  • 650V N-Channel MOSFET
HFI5N65S 技術(shù)參數(shù)
  • HFI-201209-R15J 功能描述:150nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1 Ohm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:150nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):1 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:13 @ 50MHz 頻率 - 自諧振:500MHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFI-201209-R10J 功能描述:100nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 900 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI-201209 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:100nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):900 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:18 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:600MHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFI-201209-3N9J 功能描述:3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 150 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:3.9nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):150 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:12 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.047" 寬(2.00mm x 1.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFI-201209-2N2S 功能描述:2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:2.2nH 容差:±0.3nH 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:10 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFI-201209-1N8S 功能描述:1.8nH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 100 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:jaro components inc. 系列:HFI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:陶瓷 電感:1.8nH 容差:±0.3nH 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:10 @ 100MHz 頻率 - 自諧振:4GHz 等級:- 工作溫度:- 頻率 - 測試:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.043"(1.10mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 HFMD1686 HFMD18105 HFMD1884 HFMD1885 HFMD20105 HFMD20106 HFMD2085 HFMD2086 HFMD2088 HFMD22105 HFMD2286 HFMDT18164 HFMDT18165 HFMDT18184 HFMDT18185 HFMDT18186 HFMDT20165 HFMDT20166
配單專家

在采購HFI5N65S進(jìn)貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買HFI5N65S產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購買HFI5N65S相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的HFI5N65S信息由會員自行提供,HFI5N65S內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (massivemove.com) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號