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HSB649T

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  • HSB649T-C
    HSB649T-C

    HSB649T-C

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 250

  • HSMC

  • TO-126

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • HSMC
  • 制造商全稱
  • HSMC
  • 功能描述
  • SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HSB649T 技術參數
  • HSA5R22J 功能描述:RES CHAS MNT 0.22 OHM 5% 10W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:HS,CGS 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):0.22 容差:±5% 功率(W):10W 成分:繞線 溫度系數:±50ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 200°C 特性:- 涂層,外殼類型:鋁 安裝特性:法蘭 大小/尺寸:0.669" 長 x 0.669" 寬(17.00mm x 17.00mm) 高度:0.354"(9.00mm) 引線形式:焊片 封裝/外殼:軸向,盒 標準包裝:100 HSA54K7J 功能描述:RES CHAS MNT 4.7K OHM 5% 10W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:HS,CGS 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):4.7k 容差:±5% 功率(W):10W 成分:繞線 溫度系數:±30ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 200°C 特性:- 涂層,外殼類型:鋁 安裝特性:法蘭 大小/尺寸:0.669" 長 x 0.669" 寬(17.00mm x 17.00mm) 高度:0.354"(9.00mm) 引線形式:焊片 封裝/外殼:軸向,盒 標準包裝:100 HSA53R3J 功能描述:RES CHAS MNT 3.3 OHM 5% 10W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:HS,CGS 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):3.3 容差:±5% 功率(W):10W 成分:繞線 溫度系數:±50ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 200°C 特性:- 涂層,外殼類型:鋁 安裝特性:法蘭 大小/尺寸:0.669" 長 x 0.669" 寬(17.00mm x 17.00mm) 高度:0.354"(9.00mm) 引線形式:焊片 封裝/外殼:軸向,盒 標準包裝:100 HSA5330RJ 功能描述:RES CHAS MNT 330 OHM 5% 10W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:HS,CGS 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):330 容差:±5% 功率(W):10W 成分:繞線 溫度系數:±30ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 200°C 特性:- 涂層,外殼類型:鋁 安裝特性:法蘭 大小/尺寸:0.669" 長 x 0.669" 寬(17.00mm x 17.00mm) 高度:0.354"(9.00mm) 引線形式:焊片 封裝/外殼:軸向,盒 標準包裝:100 HSA51R0J 功能描述:RES CHAS MNT 1 OHM 5% 10W 制造商:te connectivity amp connectors 系列:HS,CGS 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電阻(歐姆):1 容差:±5% 功率(W):10W 成分:繞線 溫度系數:±50ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 200°C 特性:- 涂層,外殼類型:鋁 安裝特性:法蘭 大小/尺寸:0.669" 長 x 0.669" 寬(17.00mm x 17.00mm) 高度:0.354"(9.00mm) 引線形式:焊片 封裝/外殼:軸向,盒 標準包裝:100 HSBP186 HSBP188 HSBP204 HSBP205 HSBP206 HSBP208 HSBP225 HSBP226 HSBP228 HSC.25-L HSC.25-L100 HSC05DRAH HSC05DRAH-S734 HSC05DRAI HSC05DRAI-S734 HSC05DRAN HSC05DRAN-S734 HSC05DRAS
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