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HYB39S16160AT-10

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  • HYB39S16160AT-10
    HYB39S16160AT-10

    HYB39S16160AT-10

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SIMENS

  • TSSOP

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • HYB39S16160AT-10
    HYB39S16160AT-10

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  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人:李先生

    電話:0755-8323763213302457603

    地址:福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • Siemens

  • IC 1M X 16 SYNCHRONO

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  • 原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢!

  • HYB39S16160AT-10
    HYB39S16160AT-10

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

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  • 原裝正品,歡迎訂購

  • HYB39S16160AT-10
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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

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  • HYB39S16160AT-10
    HYB39S16160AT-10

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • INFINEON

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HYB39S16160AT-10 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • 16 MBit Synchronous DRAM
HYB39S16160AT-10 技術(shù)參數(shù)
  • HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB25D128800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) HYPERLOG60100 HYPERLOG7025 HYPERLOG7060 HYS64T128021HDL-3S-B HYS72T128000HR-3S-B HYS72T128420HFA-3S-B HYT100 HYT100D HYT15CME HYT30CME HYT50 HYT50CME HYX1 HYX2 HYX3 HYX4 HYX5 HZ0201A601R-11
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