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IDT6116LA25SOGI8

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • 操作
  • IDT6116LA25SOGI8
    IDT6116LA25SOGI8

    IDT6116LA25SOGI8

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • IDT, Integrated Device Te

  • 24-SOIC(0.295",7.50m

  • 12+

  • -
  • 授權(quán)分銷 現(xiàn)貨熱賣

  • IDT6116LA25SOGI8
    IDT6116LA25SOGI8

    IDT6116LA25SOGI8

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 65000

  • IDT

  • SOP

  • 2020+

  • -
  • ★★★真實(shí)庫(kù)存,假一賠十,原廠授權(quán)★★★

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
IDT6116LA25SOGI8 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 72
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存儲(chǔ)器
  • RAM
  • 存儲(chǔ)器類型
  • SRAM - 同步
  • 存儲(chǔ)容量
  • 4.5M(256K x 18)
  • 速度
  • 133MHz
  • 接口
  • 并聯(lián)
  • 電源電壓
  • 3.135 V ~ 3.465 V
  • 工作溫度
  • 0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼
  • 100-LQFP
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 100-TQFP(14x20)
  • 包裝
  • 托盤
IDT6116LA25SOGI8 技術(shù)參數(shù)
  • IDT6116LA25SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA25SO 功能描述:IC SRAM 16KBIT 25NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA20TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA20SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA20SO 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA35TPGI IDT6116LA45SO IDT6116LA45SO8 IDT6116LA45SOG IDT6116LA45SOG8 IDT6116LA45SOGI IDT6116LA45SOGI8 IDT6116LA45SOI IDT6116LA45SOI8 IDT6116LA45TP IDT6116LA45TPG IDT6116LA45TPGI IDT6116SA15SO IDT6116SA15SO8 IDT6116SA15TP IDT6116SA20SO IDT6116SA20SO8 IDT6116SA20SOI
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