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IDT6116SA15SOG

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  • IDT6116SA15SOG
    IDT6116SA15SOG

    IDT6116SA15SOG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • IDT, Integrated Device Te

  • 24-SOIC(0.295",7.50m

  • 12+

  • -
  • 授權(quán)分銷 現(xiàn)貨熱賣

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
IDT6116SA15SOG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IC SRAM 16KBIT 15NS 24SOIC
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲器
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 378
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存儲器
  • 閃存
  • 存儲器類型
  • FLASH
  • 存儲容量
  • 8M(1M x 8,512K x 16)
  • 速度
  • 110ns
  • 接口
  • 并聯(lián)
  • 電源電壓
  • 2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼
  • 48-CBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 48-CBGA(7x7)
  • 包裝
  • 托盤
IDT6116SA15SOG 技術(shù)參數(shù)
  • IDT6116SA15SO8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 15NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA15SO 功能描述:IC SRAM 16KBIT 15NS 24SOIC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA45TPGI 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA45TPG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116LA45TP 功能描述:IC SRAM 16KBIT 45NS 24DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT6116SA25SOI IDT6116SA25SOI8 IDT6116SA25TP IDT6116SA25TPI IDT6116SA35SO IDT6116SA35SO8 IDT6116SA35SOI IDT6116SA35SOI8 IDT6116SA35TP IDT6116SA35TPG IDT6116SA35TPGI IDT6116SA35TPI IDT6116SA45SO IDT6116SA45SO8 IDT6116SA45SOI IDT6116SA45SOI8 IDT6116SA45TP IDT6116SA45TPG
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