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IDT70P258L55BYI

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  • IDT70P258L55BYI
    IDT70P258L55BYI

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • IDT, Integrated Device Te

  • 100-VFBGA

  • 12+

  • -
  • 授權(quán)分銷 現(xiàn)貨熱賣

  • IDT70P258L55BYI
    IDT70P258L55BYI

    IDT70P258L55BYI

  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 50

  • IDT

  • -
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  • 1
IDT70P258L55BYI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IC SRAM 128KBIT 55NS 100BGA
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存儲(chǔ)器
  • RAM
  • 存儲(chǔ)器類型
  • SRAM - 雙端口,同步
  • 存儲(chǔ)容量
  • 1.125M(32K x 36)
  • 速度
  • 5ns
  • 接口
  • 并聯(lián)
  • 電源電壓
  • 3.15 V ~ 3.45 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼
  • 256-LBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • 256-CABGA(17x17)
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 其它名稱
  • 70V3579S5BCI8
IDT70P258L55BYI 技術(shù)參數(shù)
  • IDT709389L9PFI8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L9PFI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L9PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L9PF 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L7PF8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3517S250RM IDT70P3519S166BFGI IDT70P3537S233RM IDT70P3537S233RMI IDT70P3537S250RM IDT70T3319S133DD IDT70T3319S133DDI IDT70T3319S166DD IDT70T3399S133DD IDT70T3399S133DDI IDT70T3399S166DD IDT70T631S10DD IDT70T631S12DD IDT70T631S12DDI IDT70T631S15DD IDT70T633S10DD IDT70T633S12DD IDT70T633S12DDI
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