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IDT70P3307S250RM

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • IDT70P3307S250RM
    IDT70P3307S250RM

    IDT70P3307S250RM

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 369

  • IDT, Integrated Device Te

  • 576-FCBGA

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務您!

  • IDT70P3307S250RM
    IDT70P3307S250RM

    IDT70P3307S250RM

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IDT, Integrated Device Te

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十

  • IDT70P3307S250RM
    IDT70P3307S250RM

    IDT70P3307S250RM

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 10001

  • IDT, Integrated Device Te

  • 576-BBGA,F(xiàn)CBGA

  • 12+

  • -
  • 授權分銷 現(xiàn)貨熱賣

  • IDT70P3307S250RM
    IDT70P3307S250RM

    IDT70P3307S250RM

  • 萬三科技(深圳)有限公司
    萬三科技(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:王小康

    電話:181886423070755-21006672

    地址:深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • IDT, Integrated Device Te

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -
  • 萬三科技 秉承原裝 實單可議

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
IDT70P3307S250RM PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IC SRAM 18MBIT 250MHZ 576FCBGA
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> 存儲器
  • 系列
  • -
  • 產品變化通告
  • Product Discontinuation 26/Apr/2010
  • 標準包裝
  • 136
  • 系列
  • -
  • 格式 - 存儲器
  • RAM
  • 存儲器類型
  • SRAM - 同步,DDR II
  • 存儲容量
  • 18M(1M x 18)
  • 速度
  • 200MHz
  • 接口
  • 并聯(lián)
  • 電源電壓
  • 1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作溫度
  • 0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼
  • 165-TBGA
  • 供應商設備封裝
  • 165-CABGA(13x15)
  • 包裝
  • 托盤
  • 其它名稱
  • 71P71804S200BQ
IDT70P3307S250RM 技術參數
  • IDT70P3307S233RMI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 233MHZ 576FCBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3307S233RM 功能描述:IC SRAM 18MBIT 233MHZ 576FCBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P27L12PFG 功能描述:IC SRAM 512KBIT 12NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) IDT709389L9PFI8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT709389L9PFI 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ IDT70P3537S250RM IDT70T3319S133DD IDT70T3319S133DDI IDT70T3319S166DD IDT70T3399S133DD IDT70T3399S133DDI IDT70T3399S166DD IDT70T631S10DD IDT70T631S12DD IDT70T631S12DDI IDT70T631S15DD IDT70T633S10DD IDT70T633S12DD IDT70T633S12DDI IDT70T633S15DD IDT70V27S20PFI IDT70V7319S133DD IDT70V7319S133DDI
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