IR2113-1/98-0118

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IR2113-1/98-0118
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
300
IR
PDIP14
2012+
-
只做原裝正品。

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IR2113-1/98-0118 技術參數(shù)

IR2113-1 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IR2113 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:高端輸入類型:非反相延遲時間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-DIP 包裝:管件其它名稱:*IR2127 IR2112STRPBF 功能描述:功率驅動器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IR2112STR 功能描述:IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:50 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:40ns 電流 - 峰:9A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:4.5 V ~ 35 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA 供應商設備封裝:TO-263 包裝:管件 IR2112SPBF 功能描述:功率驅動器IC HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IR2114SSPBF IR2114SSTRPBF IR2117 IR2117PBF IR2117SPBF IR2117STR IR2117STRPBF IR2118 IR2118PBF IR2118SPBF IR2118STR IR2118STRPBF IR2121 IR2121PBF IR2122 IR2125 IR2125PBF IR2125S