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IRF644STR

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  • 型號(hào)
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  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • IRF644STRRPBF
    IRF644STRRPBF

    IRF644STRRPBF

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 21000

  • VISHAY

  • TO-263

  • 22+

  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

  • IRF644STRL
    IRF644STRL

    IRF644STRL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INTERNATIONALRECTIFIER

  • ORIGINAL

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào)，原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • IRF644STRLPBF
    IRF644STRLPBF

    IRF644STRLPBF

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Vishay Siliconix

  • MOSFET N-CH 250V 14A

  • 22+

  • -

  • IRF644STRR
    IRF644STRR

    IRF644STRR

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IR

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • IRF644STRL
    IRF644STRL

    IRF644STRL

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • IR

  • 06+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • IRF644STRLPBF
    IRF644STRLPBF

    IRF644STRLPBF

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1480

  • IR

  • TO-263

  • 14+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • IRF644STRR
    IRF644STRR

    IRF644STRR

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2350

  • IR

  • TO-263

  • 201315+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存！400-800-03...

  • IRF644STRL
    IRF644STRL

    IRF644STRL

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 10000

  • IR

  • TO263

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品。

  • IRF644STRLPBF
    IRF644STRLPBF

    IRF644STRLPBF

  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    聯(lián)系人：李小姐/肖先生

    電話：0755-8257149682571956

    地址：賽格廣場(chǎng)69樓6900

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5718

  • IR

  • 原廠封裝

  • 21+

  • -

  • ★假一賠十!絕對(duì)原裝現(xiàn)貨市場(chǎng)最低價(jià)！★

  • IRF644STRL
    IRF644STRL

    IRF644STRL

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人：柯先生/趙小姐

    電話：0755-83665813

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部：中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 56050

  • IR

  • TO-263

  • 04+

  • -

  • 自已庫存絕對(duì)優(yōu)勢(shì)

IRF644STR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
IRF644STR 技術(shù)參數(shù)
  • IRF640,127 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1850pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF640 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1560pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630FP 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF630 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:700pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IRF620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 IRF6607 IRF6607TR1 IRF6608 IRF6608TR1 IRF6609 IRF6609TR1 IRF6609TR1PBF IRF6609TRPBF IRF6610TR1 IRF6610TR1PBF IRF6610TRPBF IRF6611 IRF6611TR1 IRF6611TR1PBF IRF6611TRPBF IRF6612TR1 IRF6612TR1PBF IRF6612TRPBF
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