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IRFR3802TRPBF

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  • IRFR3802TRPBF
    IRFR3802TRPBF

    IRFR3802TRPBF

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 10000

  • I

  • TO252D-PAK

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

  • IRFR3802TRPBF
    IRFR3802TRPBF

    IRFR3802TRPBF

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部:中航路都會電子3C002B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • I

  • TO252D-PAK

  • 13+

  • -
  • 不止網(wǎng)址數(shù)量.以電話為準

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
IRFR3802TRPBF PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
IRFR3802TRPBF 技術參數(shù)
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):128nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2980pF @ 25V 功率 - 最大值:220W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 16A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):158nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2850pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):832pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):610pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 IRFR3911TRPBF IRFR4104PBF IRFR4104TR IRFR4104TRL IRFR4104TRLPBF IRFR4104TRPBF IRFR4104TRR IRFR4104TRRPBF IRFR4105PBF IRFR4105TR IRFR4105TRL IRFR4105TRLPBF IRFR4105TRPBF IRFR4105TRR IRFR4105Z IRFR4105ZPBF IRFR4105ZTR IRFR4105ZTRL
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