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IS43R16400B-4TL

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IS43R16400B-4TL
深圳市新良宇電子有限公司
深圳市新良宇電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8323763213302457603
地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室
56912
Integrated Silicon Soluti
IC 4M X 16 DDR DRAM,
23+
-
原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢！

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IS43R16400B-4TL 技術(shù)參數(shù)

IS43R16320F-6TLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 66TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:512M（32M x 16）速度:167MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.3 V ~ 2.7 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:66-TSOP II 標準包裝:108 IS43R16320F-6TL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 66TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR SDRAM 存儲容量:512M（32M x 16）速度:167MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.3 V ~ 2.7 V 工作溫度:0°C ~ 70°C（TA）封裝/外殼:66-TSSOP（0.400"，10.16mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:66-TSOP II 標準包裝:108 IS43R16320D-6TL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 512M (32Mx16) 166MHz DDR 2.5v RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43R16320D-6TLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 512M (32Mx16) 166MHz DDR 2.5v RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43R16320D-6TLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 512M (32Mx16) 166MHz DDR 2.5v RoHS:否制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43R16800E-6TL-TR IS43R32160D-5BL IS43R32160D-5BLI IS43R32160D-5BLI-TR IS43R32160D-5BL-TR IS43R32400E-4BL IS43R32400E-4BL-TR IS43R32400E-5BL IS43R32400E-5BLI IS43R32400E-5BLI-TR IS43R32400E-5BL-TR IS43R32800B-5BL IS43R32800B-5BL-TR IS43R32800B-6BL IS43R32800B-6BL-TR IS43R32800D-5BL IS43R32800D-5BLI IS43R32800D-5BLI-TR