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IS4435

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IS4435 技術(shù)參數(shù)
  • IS43TR85120AL-125KBLI 功能描述:IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 78BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:4G(512M x 8) 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:78-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:78-TWBGA(9x10.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:220 IS43TR85120AL-125KBL 功能描述:IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 78BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:4G(512M x 8) 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:78-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:78-TWBGA(9x10.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:220 IS43TR85120A-125KBLI 功能描述:IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 78BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:4G(512M x 8) 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.425 V ~ 1.575 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:78-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:78-TWBGA(9x10.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:220 IS43TR85120A-125KBL 功能描述:IC SDRAM 4GBIT 800MHZ 78BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3 SDRAM 存儲(chǔ)容量:4G(512M x 8) 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.425 V ~ 1.575 V 工作溫度:0°C ~ 70°C(TA) 封裝/外殼:78-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:78-TWBGA(9x10.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:220 IS43TR82560BL-125KBLI 功能描述:IC DDR3L 2GB 1.35V 1600MT 78BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)容量:2G(256M x 8) 速度:800MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.283 V ~ 1.45 V 工作溫度:-40°C ~ 95°C(TA) 封裝/外殼:78-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:78-TWBGA(8x10.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:242 IS45S16100H-7BLA1 IS45S16100H-7BLA1-TR IS45S16100H-7BLA2 IS45S16100H-7BLA2-TR IS45S16100H-7TLA1 IS45S16100H-7TLA1-TR IS45S16100H-7TLA2 IS45S16100H-7TLA2-TR IS45S16160D-6BLA1 IS45S16160D-6BLA1-TR IS45S16160D-7BLA1 IS45S16160D-7BLA1-TR IS45S16160D-7BLA2 IS45S16160D-7BLA2-TR IS45S16160D-7TLA1 IS45S16160D-7TLA1-TR IS45S16160D-7TLA2 IS45S16160D-7TLA2-TR
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