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IS61WV20488BLL-10MI

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IS61WV20488BLL-10MI 技術(shù)參數(shù)
  • IS61WV204816BLL-10TLI 功能描述:32MB HIGHSPEED ASYNCHRONOUS SRAM 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:32M（2M x 16） 速度:10ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.4 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP I 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 IS61WV204816BLL-10BLI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 10NS 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（1M x 16） 速度:10ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.4 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-TFBGA（6x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS61WV1288EEBLL-10TLI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:1M（128K x 8） 速度:10ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.4 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:32-SOIC（0.400"，10.16mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:32-TSOP II 標(biāo)準(zhǔn)包裝:117 IS61WV1288EEBLL-10HLI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSSOP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:1M（128K x 8） 速度:10ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.4 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:32-LFSOP（0.465"，11.80mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:32-TSOP（8x14） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:234 IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 2Mb (128K x 16) 10ns 2.4V-3.6V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV25616BLL-10KLI-TR IS61WV25616BLL-10TL IS61WV25616BLL-10TLI IS61WV25616BLL-10TLI-TR IS61WV25616BLL-10TL-TR IS61WV25616BLS-25TLI IS61WV25616BLS-25TLI-TR IS61WV25616EDALL-20BLI IS61WV25616EDALL-20BLI-TR IS61WV25616EDBLL-10BLI IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR IS61WV25616EDBLL-10TLI IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR IS61WV25616EDBLL-8BLI IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR IS61WV25616EDBLL-8TLI IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR IS61WV25632BLL-10BLI
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