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IS61WV25632BLL-XCU29-JP

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IS61WV25632BLL-XCU29-JP 技術(shù)參數(shù)
  • IS61WV25632BLL-10BLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 256Kx32 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV25632BLL-10BLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8Mb 256Kx32 10ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb (256K x 16) 8ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV25616EDBLL-8TLI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb (256K x 16) 8ns Async 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61WV25616EDBLL-8BLI 功能描述:IC SRAM 4MB 8NS 3.3V HS 48MBGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:4M（256K x 16） 速度:8ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:48-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:48-TFBGA（6x8） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:480 IS61WV3216DBLL-10TLI-TR IS61WV51216BLL-10MLI IS61WV51216BLL-10MLI-TR IS61WV51216BLL-10TLI IS61WV51216BLL-10TLI-TR IS61WV51216EDALL-20BLI IS61WV51216EDALL-20BLI-TR IS61WV51216EDALL-20TLI IS61WV51216EDALL-20TLI-TR IS61WV51216EDBLL-10BLI IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR IS61WV51216EDBLL-10TLI IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR IS61WV51216EDBLL-8BLI IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR IS61WV51216EDBLL-8TLI IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR IS61WV51232BLL-10BLI
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