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JAN1N3023B

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  • JAN1N3023B-1
    JAN1N3023B-1

    JAN1N3023B-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AL

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N3023BUR-1
    JAN1N3023BUR-1

    JAN1N3023BUR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 13V 1W D

  • 22+

  • -

  • JAN1N3023B-1
    JAN1N3023B-1

    JAN1N3023B-1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
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JAN1N3023B 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N3022DUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3022D-1 功能描述:Zener Diode 12V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3022CUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3022C-1 功能描述:Zener Diode 12V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3022BUR-1 功能描述:Zener Diode 12V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:9 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N3024CUR-1 JAN1N3024D-1 JAN1N3024DUR-1 JAN1N3025B-1 JAN1N3025BUR-1 JAN1N3025C-1 JAN1N3025CUR-1 JAN1N3025D-1 JAN1N3025DUR-1 JAN1N3026B-1 JAN1N3026BUR-1 JAN1N3026C-1 JAN1N3026CUR-1 JAN1N3026D-1 JAN1N3026DUR-1 JAN1N3027B-1 JAN1N3027BUR-1 JAN1N3027C-1
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