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JAN1N5555

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • JAN1N5555
    JAN1N5555

    JAN1N5555

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-202AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N5555
    JAN1N5555

    JAN1N5555

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 708

  • MICROSEMI

  • 2014+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • JAN1N5555
    JAN1N5555

    JAN1N5555

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -

  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • JAN1N5555
    JAN1N5555

    JAN1N5555

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Microsemi

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
JAN1N5555 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin DO-13
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL UNI-DIR 30.5V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW 2-Pin DO-13
JAN1N5555 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N5554US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 5A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5554 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5553US 功能描述:Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5553 功能描述:Diode Standard 800V 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5552US 功能描述:Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5616 JAN1N5616/TR JAN1N5616US JAN1N5617 JAN1N5617US JAN1N5618 JAN1N5618US JAN1N5619 JAN1N5619US JAN1N5620 JAN1N5620US JAN1N5621 JAN1N5621US JAN1N5622 JAN1N5622US JAN1N5623 JAN1N5623US JAN1N5629A
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