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JAN1N5557

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  • JAN1N5557
    JAN1N5557

    JAN1N5557

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • MICROSEMICORPORATION

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨??！

  • JAN1N5557
    JAN1N5557

    JAN1N5557

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-202AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N5557
    JAN1N5557

    JAN1N5557

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • 原廠品牌

  • 標準封裝

  • 09/10+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
JAN1N5557 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode TVS Single Uni-Dir 49.3V 1.5KW 2-Pin DO-13
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL UNI-DIR 49.3V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk
JAN1N5557 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N5556 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:40.3V 電壓 - 擊穿（最小值）:43.7V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:1 JAN1N5555 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/500 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:30.5V 電壓 - 擊穿（最小值）:33V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:32A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-13 供應(yīng)商器件封裝:DO-13（DO-202AA） 標準包裝:1 JAN1N5554US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 5A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5554 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:標準恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5553US 功能描述:Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5616/TR JAN1N5616US JAN1N5617 JAN1N5617US JAN1N5618 JAN1N5618US JAN1N5619 JAN1N5619US JAN1N5620 JAN1N5620US JAN1N5621 JAN1N5621US JAN1N5622 JAN1N5622US JAN1N5623 JAN1N5623US JAN1N5629A JAN1N5632A
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