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JAN1N5816

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  • JAN1N5816
    JAN1N5816

    JAN1N5816

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 0

  • Microchip

  • 瑞智芯 只有原裝

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  • JAN1N5816
    JAN1N5816

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  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-203AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N5816
    JAN1N5816

    JAN1N5816

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • JAN1N5816
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  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 150V 20A 2PIN DO-4 - Bulk
JAN1N5816 技術參數(shù)
  • JAN1N5814 功能描述:Diode Standard 100V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:300pF @ 10V，1MHz 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商器件封裝:DO-203AA（DO-4） 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5811US 功能描述:Diode Standard 150V 6A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5811URS 功能描述:Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5811 功能描述:Diode Standard 150V 6A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N5809US 功能描述:Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/477 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:875mV @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:60pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JAN1N6044A JAN1N6045A JAN1N6047A JAN1N6051A JAN1N6052A JAN1N6053A JAN1N6055A JAN1N6057A JAN1N6061A JAN1N6069A JAN1N6072A JAN1N6073 JAN1N6074 JAN1N6075 JAN1N6076 JAN1N6077 JAN1N6078 JAN1N6081
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