JANTX1N5524BUR1

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JANTX1N5524BUR1 技術參數

JANTX1N5524B-1 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTX1N5523DUR-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N5523D-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N5523CUR-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTX1N5523C-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTX1N5526B-1 JANTX1N5526BUR-1 JANTX1N5526C-1 JANTX1N5526CUR-1 JANTX1N5526D-1 JANTX1N5526DUR-1 JANTX1N5527B-1 JANTX1N5527BUR-1 JANTX1N5527C-1 JANTX1N5527CUR-1 JANTX1N5527D-1 JANTX1N5527DUR-1 JANTX1N5528B-1 JANTX1N5528C-1 JANTX1N5528CUR-1 JANTX1N5528D-1 JANTX1N5528DUR-1 JANTX1N5529B-1