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JANTX2N497

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  • JANTX2N497A
    JANTX2N497A

    JANTX2N497A

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

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  • JANTX2N4977
    JANTX2N4977

    JANTX2N4977

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • MOT

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

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  • JANTX2N4977
    JANTX2N4977

    JANTX2N4977

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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JANTX2N497 技術(shù)參數(shù)
  • JANTX2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無(wú)引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N4931 功能描述:TRANS PNP 250V 0.2A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/397 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 3mA,30mA 電流 - 集電極截止(最大值):250nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39(TO-205AD) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N4859 功能描述:JFET N-Channel 30V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):175mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):10V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):25 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N4857UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):6V @ 500pA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):40 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無(wú)引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S JANTX2N5238 JANTX2N5238S JANTX2N5302 JANTX2N5303 JANTX2N5339 JANTX2N5415 JANTX2N5415S JANTX2N5416 JANTX2N5416S JANTX2N5416U4
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