JANTXV1N41481

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JANTXV1N41481 技術參數(shù)

JANTXV1N4135UR-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4135DUR-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4135D-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N4135CUR-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4135C-1 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N4150UR-1 JANTXV1N4153-1 JANTXV1N4153UR-1 JANTXV1N4245 JANTXV1N4246 JANTXV1N4247 JANTXV1N4248 JANTXV1N4249 JANTXV1N4370-1 JANTXV1N4370AUR-1 JANTXV1N4370C-1 JANTXV1N4370CUR-1 JANTXV1N4370D-1 JANTXV1N4370DUR-1 JANTXV1N4371A-1 JANTXV1N4371AUR-1 JANTXV1N4371C-1 JANTXV1N4371CUR-1