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JANTXV1N757A1

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JANTXV1N757A1 技術(shù)參數(shù)
  • JANTXV1N756DUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N756D-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N756CUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N756C-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N756AUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N758D-1 JANTXV1N758DUR-1 JANTXV1N759A-1 JANTXV1N759AUR-1 JANTXV1N759C-1 JANTXV1N759CUR-1 JANTXV1N759D-1 JANTXV1N759DUR-1 JANTXV1N821-1 JANTXV1N821UR-1 JANTXV1N823-1 JANTXV1N823UR-1 JANTXV1N825-1 JANTXV1N825UR-1 JANTXV1N827-1 JANTXV1N827UR-1 JANTXV1N829-1 JANTXV1N829UR-1
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