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JANTXV2N5011S

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  • JANTXV2N5011S
    JANTXV2N5011S

    JANTXV2N5011S

  • 深圳市萊特斯電子科技有限公司
    深圳市萊特斯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:江先生

    電話:19176527791

    地址:深圳市福田區(qū)賽格廣場1609A

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 9600

  • MSC

  • 標準封裝

  • 21+

  • -
  • ?只做原裝進口,承諾假一罰十,授權分銷商...

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
JANTXV2N5011S PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 0.2A 3-Pin TO-39
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • NPN TRANSISTOR - Bulk
JANTXV2N5011S 技術參數(shù)
  • JANTXV2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JANTXV2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JANTXV2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 500mA,5A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 2.5A,5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA,TO-59-4,接線柱 供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JANTXV2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANTXV2N4957 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-72-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 JANTXV2N5237 JANTXV2N5237S JANTXV2N5238 JANTXV2N5238S JANTXV2N5339 JANTXV2N5339U3 JANTXV2N5415 JANTXV2N5415S JANTXV2N5416 JANTXV2N5416S JANTXV2N5416U4 JANTXV2N5416UA JANTXV2N5581 JANTXV2N5582 JANTXV2N5662 JANTXV2N5663 JANTXV2N5664 JANTXV2N5665
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