L63GT

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L63GT
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
566
Kingbright
標(biāo)準(zhǔn)封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務(wù)您！

L63GT
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8653000
DIP
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現(xiàn)貨！

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功能描述
標(biāo)準(zhǔn)LED-通孔 GREEN TRANSPARENT
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
照明顏色
Red
光強度
0.7 mcd
波長/色溫
615 nm
顯示角
45 deg
透鏡顏色/類型
Clear, Non-Diffused
正向電流
70 mA
正向電壓
1.83 V to 3.03 V
LED 大小
2 mm
系列
封裝
Tube

L63GT 技術(shù)參數(shù)

L6399DTR 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售驅(qū)動配置:半橋通道類型:獨立式驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:290mA，430mA 輸入類型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:75ns，35ns 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 L6398DTR 功能描述:功率驅(qū)動器IC 600V 290 mA Source 430 mA sink BCD RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6398D 功能描述:功率驅(qū)動器IC High Volt 600V Rail Off Line 3.3V RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6395DTR 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 驅(qū)動配置:半橋通道類型:獨立式驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:290mA，430mA 輸入類型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:75ns，35ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 L6395D 功能描述:IC GATE DVR HV BCD OFFLINE 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效驅(qū)動配置:半橋通道類型:獨立式驅(qū)動器數(shù):2 柵極類型:IGBT，N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL，VIH:1.1V，1.9V 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）:290mA，430mA 輸入類型:非反相高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）:600V 上升/下降時間（典型值）:75ns，35ns 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 L6472HTR L6472PD L6472PDTR L6474H L6474HTR L6474PD L6474PDTR L6480H L6480HTR L6482H L6482HTR L6491D L6491DTR L6494L L6494LD L6494LDTR L6494LTR L6498D