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LQLB2012T220M

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  • LQLB2012T220M
    LQLB2012T220M

    LQLB2012T220M

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：13760200702

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C棟706

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TAIYO

  • SMD

  • 假一賠十！

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  • 絕對(duì)原裝現(xiàn)貨！！

  • LQLB2012T220M
    LQLB2012T220M

    LQLB2012T220M

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • TAIYO

  • SMD

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 代理此型號(hào).原裝正品現(xiàn)貨!

  • LQLB2012T220M
    LQLB2012T220M

    LQLB2012T220M

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 百分百原裝正品，質(zhì)量保障價(jià)格及優(yōu)

  • LQLB2012T220M
    LQLB2012T220M

    LQLB2012T220M

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1002號(hào)賽格廣場(chǎng)54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • Taiyo

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共15條 
  • 1
LQLB2012T220M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • TAIYO YUDEN
  • 功能描述
LQLB2012T220M 技術(shù)參數(shù)
  • LQH88PN6R8N38L 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 22 mOhm 3131 (8080 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:LQH88P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:6.8μH 容差:±30% 額定電流:3.8A 電流 - 飽和值:4.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:22 毫歐 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:20MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3131（8080 公制） 大小/尺寸:0.315" 長(zhǎng) x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.150"（3.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 LQH88PN680M38L 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 190 mOhm 3131 (8080 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:LQH88P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:68μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:190 毫歐 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:7MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3131（8080 公制） 大小/尺寸:0.315" 長(zhǎng) x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.150"（3.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 LQH88PN4R7N38L 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 4.2A 17 mOhm 3131 (8080 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:LQH88P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:4.2A 電流 - 飽和值:6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:17 毫歐 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:30MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3131（8080 公制） 大小/尺寸:0.315" 長(zhǎng) x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.150"（3.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 LQH88PN470M38L 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 1.45A 157 mOhm 3131 (8080 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:LQH88P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:1.45A 電流 - 飽和值:1.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:157 毫歐 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:7MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3131（8080 公制） 大小/尺寸:0.315" 長(zhǎng) x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.150"（3.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 LQH88PN3R3N38L 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 5A 13 mOhm 3131 (8080 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:LQH88P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:3.3μH 容差:±30% 額定電流:5A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:13 毫歐 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:35MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3131（8080 公制） 大小/尺寸:0.315" 長(zhǎng) x 0.315" 寬（8.00mm x 8.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.150"（3.80mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 LQM18NN1R5K00D LQM18NN1R8K00D LQM18NN2R2K00D LQM18NN47NM00D LQM18NN68NM00D LQM18NN82NM00D LQM18NNR10K00D LQM18NNR12K00D LQM18NNR15K00D LQM18NNR18K00D LQM18NNR22K00D LQM18NNR27K00D LQM18NNR33K00D LQM18NNR39K00D LQM18NNR47K00D LQM18NNR56K00D LQM18NNR68K00D LQM18NNR82K00D
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