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MBR130LSFT1GOS

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MBR130LSFT1GOS 技術(shù)參數(shù)
  • MBR130HWTR 功能描述:PIV 30V IO 1A VF 0 45V PACKAGE S 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):30V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):450mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400μA @ 30V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:50pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應(yīng)商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應(yīng)商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應(yīng)商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12045CTR 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應(yīng)商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR12045CT 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):120A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 60A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:雙塔架 供應(yīng)商器件封裝:雙塔架 標準包裝:25 MBR140SFT3 MBR140SFT3G MBR150 MBR150G MBR150RL MBR150RLG MBR15100CT C0G MBR15100CT-E1 MBR15100CTF-E1 MBR15100CTF-G1 MBR15100CT-G1 MBR15100CTHC0G MBR15150CT C0G MBR15150CTHC0G MBR15200 MBR15200DJFTR MBR15200STR MBR1530CT
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