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MLF2012A1R2JT

配單專家企業(yè)名單
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  • 封裝
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  • 操作
  • MLF2012A1R2JT000
    MLF2012A1R2JT000

    MLF2012A1R2JT000

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • MLF2012A1R2JT000
    MLF2012A1R2JT000

    MLF2012A1R2JT000

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • MLF2012A1R2JTD25
    MLF2012A1R2JTD25

    MLF2012A1R2JTD25

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • MLF2012A1R2JT
    MLF2012A1R2JT

    MLF2012A1R2JT

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人：胡

    電話：13480313979

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • TDK

  • N/A

  • 22+

  • -

  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
MLF2012A1R2JT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK CORPORATION OF AMERICA
  • 功能描述
  • Ind General Purpose Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 5% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 80mA 0805 T/R
MLF2012A1R2JT 技術(shù)參數(shù)
  • MLF2012A1R0M 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 80mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:80mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:45 @ 10MHz 頻率 - 自諧振:120MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標準包裝:1 MLF2012A1R0KTD25 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 80mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±10% 額定電流:80mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:55 @ 10MHz 頻率 - 自諧振:120MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標準包裝:1 MLF2012A1R0KT000 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 80mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±10% 額定電流:80mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:45 @ 10MHz 頻率 - 自諧振:120MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標準包裝:1 MLF2012A1R0JT000 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 80mA 300 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±5% 額定電流:80mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:45 @ 10MHz 頻率 - 自諧振:120MHz 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標準包裝:1 MLF1608E8R2MTD25 功能描述:8.2μH Shielded Multilayer Inductor 10mA 1.5 Ohm Max 0603 (1608 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:10mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.5 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:35MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:4MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0603（1608 公制） 大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.037"（0.95mm） 標準包裝:1 MLF2012A1R5JTD25 MLF2012A1R5KT000 MLF2012A1R5KTD25 MLF2012A1R5M MLF2012A1R5MT MLF2012A1R5MT000 MLF2012A1R5MTD25 MLF2012A1R8JT000 MLF2012A1R8JTD25 MLF2012A1R8KT000 MLF2012A1R8KTD25 MLF2012A1R8M MLF2012A1R8MT MLF2012A1R8MT000 MLF2012A1R8MTD25 MLF2012A2R2JT000 MLF2012A2R2JTD25 MLF2012A2R2KT000
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