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MRGF16W1KOHMJ

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MRGF16W1KOHMJ 技術(shù)參數(shù)
  • MRFX1K80HR5 功能描述:RF MOSFET LDMOS 65V NI-1230H-4S 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:1.8MHz ~ 470MHz 增益:24dB 電壓 - 測(cè)試:65V 額定電流:100mA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測(cè)試:200mA 功率 - 輸出:1800W 電壓 - 額定:182V 封裝/外殼:NI-1230H-4S 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230H-4S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MRF587 功能描述:TRANS RF NPN 17A 200MA 244A-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):17V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):3dB @ 0.5GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:- 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 安裝類型:接線柱安裝 封裝/外殼:244A-01 供應(yīng)商器件封裝:244A-01、STYLE 1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):18V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:211-07 供應(yīng)商器件封裝:211-07、STYLE 1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 5A,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:211-11,2 型 供應(yīng)商器件封裝:211-11,2 型 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):16A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:211-11,2 型 供應(yīng)商器件封裝:211-11,2 型 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 MRJ0050DF-A MRJ0060DD-A MRJ0060DF-A MRJ0070DD-A MRJ0070DF-A MRJ0080DD-A MRJ0080DF-A MRJ0090DD-A MRJ0090DF-A MRJ0100DD-A MRJ0100DF-A MRJ0110DD-A MRJ0110DF-A MRJ0120DD-A MRJ0120DF-A MRJ0130DD-A MRJ0130DF-A MRJ0140DD-A
配單專家

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